С 2003 года корпорации Intel и STMicroelectronics разрабатывали новый вид памяти. Теперь прототип инновационной разработки был отправлен партнерам. Устройство под кодовым названием Alverstone обеспечивает большую скорость чтения и записи данных, чем обычная флеш-память при пониженном энергопотреблении и потенциально меньшей стоимости за мегабайт. Кроме этого, по информации The Inquirer, число циклов чтения-записи, которую может выдержать PRAM, в 1000 раз превышает стандартные показатели. Разработчики называют технологию, на которой построен Alverstone, самым значительным прорывом в отрасли за 40 лет.
Напомним, в 2004 году исследователи представили массивы памяти объемом 8 мегабит с размером элемента, не превышающим 180 нанометров. В 2006 году Alverstone перешел на 90-нанометровый технологический процесс, а память устройства достиг 128 мегабит. В целом, за 2007 году объем рынка памяти составил около 61 миллиарда долларов
